Программа Сервисный Центр
0

NXP представляет чрезвычайно надежные мощные СВЧ транзисторы XR LDMOS


NXP » BLF578XRНовое семейство транзисторов XR имеет лучшие в своем классе надежность и рабочие характеристики при обычной ценеКомпания NXP Semiconductors представила свое новое семейство XR («eXtremely Rugged» – чрезвычайно надежных) мощных СВЧ LDMOS транзисторов, предназначенных для самых требовательных инженерных решений. Высокопрочная конструкция транзисторов семейства XR обеспечивает их безотказную работу в жестких условиях, которые часто встречаются в промышленных лазерах, при травлении металлов или сверлении бетона. Семейство XR, созданное на базе лучшей в отрасли технологии LDMOS компании NXP, способствует проникновению этой технологии в те области, где до сих пор использовались транзисторы VDMOS и биполярные транзисторы.
NXP представляет чрезвычайно надежные мощные СВЧ транзисторы XR LDMOS
Внезапные и сильные возмущения нагрузки – обычное явление для некоторых силовых СВЧ приложений. Мощные СВЧ транзисторы должны преодолевать их без отказа или ухудшения характеристик на протяжении многолетней интенсивной эксплуатации. Подобные возмущения воспроизводят в лабораторных условиях, создавая на стороне нагрузки вынужденные рассогласования, степень которых характеризуется коэффициентом стоячей волны по напряжению (КСВН). В большинстве приложений для базовых и вещательных станций требуются надежные силовые СВЧ транзисторы, выдерживающие КСВН 10:1 по всем фазам, тогда как чрезвычайно надежный транзистор BLF578XR легко переносит повторяющиеся тесты с КСВН 125:1 – это наивысший уровень, который способно измерить тестовое оборудование. Данная характеристика особенно важна для отдельных ISM-приложений, которым необходим мощный СВЧ транзистор, прошедший тесты с КСВН более 100:1.Новый транзистор BLF578XR является чрезвычайно надежной версией популярного мощного СВЧ транзистора NXP BLF578, основного элемента различных широковещательных и ISM-приложений. В большинстве случаев транзистор BLF578XR можно будет легко использовать в качестве замены транзистора BLF578.Технические характеристикиМощный транзистор BLF578XR c технологией LDMOS – самой эффективной технологией компании NXP, предназначен для приложений, которым требуется исключительно высокая надежность. Частотный диапазон: от 0 до 500 МГц Коэффициент усиления: 24 дБ при 225 МГц Эффективность: 70% при 225 МГц КСВН: 125:1 при мощности 1200 Вт по всем фазам Пиковая выходная мощность: 1400 Вт (в импульсном режиме) Улучшенные тепловые характеристики: 0.14 K/ВтНаличиеОбразцы мощных транзисторов NXP BLF578XR имеются в наличии уже сегодня, их массовые отгрузки начнутся в III квартале 2011 года.

По материалам сайта www.rlocman.ru

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (15)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"