Программа Сервисный Центр
0

NXP приступает к серийному выпуску продукции на базе GaN-технологии


NXP » CLF1G0530-50, CLF1G2435-100Компания NXP, мировой лидер в области высокопроизводительных радиочастотных компонентов, будет выпускать как LDMOS, так и GaN решения для высокоэффективных СВЧ-устройств большой мощностиНа выставке IMS2011 компания NXP NXP Semiconductors N.V. продемонстрировала в действии свою продукцию нового поколения на базе нитрид-галлиевой (GaN) технологии. Среди представленных устройств – 50-ваттный широкополосный усилитель CLF1G0530-50 для диапазона частот 500–3000 МГц, 2.1-ГГц усилители Догерти для базовых станций, а также 100-ваттный усилитель CLF1G2435-100 для диапазона частот 2.5–3.5 ГГц. Компания NXP разработала высокочастотную производственную GaN-технологию для компонентов большой мощности в сотрудничестве с компанией United Monolithic Semiconductors и Фраунгоферовским институтом прикладной физики твердого тела. Сегодня компания NXP занимает уникальные позиции в качестве крупнейшего производителя полупроводниковых компонентов, который предлагает решения как на базе технологии LDMOS, так и на базе нитрид-галлиевой технологии. Опытные образцы первых GaN усилителей мощности компании NXP уже имеются в наличии.
NXP приступает к серийному выпуску продукции на базе GaN-технологии
Факты/ключевые особенности: GaN устройства компании NXP изготавливаются на SiC подложках для улучшения радиочастотных и тепловых характеристик.
  Компоненты NXP на базе GaN предназначены для устройств сотовой связи, широкополосных усилителей, систем диапазона ISM, персональных системы подвижной радиосвязи, радаров, авиационного электронного оборудования, систем освещения с РЧ-управлением, медицинских приборов, систем кабельного телевидения, а также цифровых передатчиков для сотовой связи и радиовещания.
  Благодаря высокой плотности мощности GaN-компоненты смогут найти применение и в таких областях, как оборудование высокой мощности для широкополосного вещания, где до сих пор, как правило, используются твердотельные усилители мощности на основе вакуумных приборов.
  В настоящее время большинство усилителей мощности для базовых станций имеет ограниченную область применения, тогда как новая производственная GaN-технология компании NXP позволит создать «универсальный передатчик», который можно будет использовать во множестве систем на различных частотах, что упростит изготовление и логистику передатчиков и предоставит операторам возможность мгновенно переключаться между частотными полосами в соответствии с требованиями к зоне покрытия базовых станций.
  Как ожидается, широкополосные GaN усилители мощности компании NXP будут доступны для заказа большими партиями в конце 2011 г.

По материалам сайта www.rlocman.ru

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (12)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"