Программа Сервисный Центр
0

Новый TrenchFET MOSFET-транзистор Vishay имеет наименьшее сопротивление открытого канала среди конкурирующих устройств


Vishay » SiB437EDKT
Новый TrenchFET MOSFET-транзистор Vishay имеет наименьшее сопротивление открытого канала среди конкурирующих устройств
Новый транзистор SiB437EDKT может быть использован для переключения нагрузки в таких устройствах, как смартфоны, MP3-плееры, портативные медиаплееры, цифровые камеры, электронные книги и планшетные ПК. Компактный размер корпуса Thin PowerPAK SC-75 с уменьшенным температурным сопротивлением и сверхнизкий профиль (0.65 мм) позволяют снижать размеры конечных устройств, в то время, как благодаря малому сопротивлению открытого транзистора, снижаются потери при переключении, уменьшается энергопотребление и увеличивается срок службы аккумуляторов в этих устройствах. Параметры MOSFET-транзистора, нормированные для напряжений открывания 1.5 и 1.2 В, позволяют прибору работать в портативных устройствах с низковольтными драйверами затвора и меньшими напряжениями шин питания, и дают возможность, отказавшись от схем смещения уровней, сэкономить средства и площадь печатной платы. Этот MOSFET транзистор особенно полезен тогда, когда заряд батареи портативных устройств подходит к концу, и необходимо снизить энергопотребление, на сколько возможно. SiB437EDKT обеспечивает ультра низкое сопротивление в открытом состоянии: 34 мОм при напряжении затвора 4.5 В, 63 мОм при напряжении затвора 1.8 В, 84 мОм при напряжении затвора 1.5 В, 180 мОм при напряжении затвора 1.2 В. Ближайшие конкурирующие устройства в корпусах 1.6 × 1.6 мм высотой менее 0.8 мм обеспечивают только 37 мОм при 4.5 В, 65 мОм при 1.8 В и 100 мОм при 1.5 В. А это на 8%, 5% и 16%, соответственно, хуже, чем у SiB437EDKT. SiB437EDKT не содержит галогенов, в соответствии с IEC 61249-2-21, и удовлетворяет требованиям директивы RoHS. 100% приборов тестируются на соответствие параметра Rg (сопротивлении затвора). MOSFET транзистор имеет защиту от электростатических разрядов до 2 кВ.На английском языке: Vishay Siliconix 8 V P-Channel TrenchFET® Power MOSFET Offers Industry's Lowest On-Resistance Down to 34 mΩ at 4.5 V in the 1.6 mm by 1.6 mm Footprint Area With Sub-0.8-mm ProfileПеревод: TenzoR по заказу РадиоЛоцман

По материалам сайта www.rlocman.ru

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (5)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"