Программа Сервисный Центр
0

MOSFET транзисторы Vishay нового поколения имеют сопротивление открытого канала 1 мОм


Vishay » SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, SiSA04DNНовое семейство транзисторов имеет наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала при напряжении затвора 4.5 В
MOSFET транзисторы Vishay нового поколения имеют сопротивление открытого канала 1 мОм
Воплотившие в себе последние достижения Vishay в технологиях конструирования, изготовления и корпусирования, мощные транзисторы открывают широкие возможности для разработчиков современных силовых электронных устройств. При значительном, по сравнению с приборами предыдущего поколения, сокращении площади активной области кристалла, SiRA00DP демонстрирует экстремально низкое сопротивление RDS(ON) = 1.0 мОм при напряжении затвора 10 В и рекордное для отрасли значение 1.35 мОм при напряжении 4.5 В. Конструкторы теперь получают возможность еще больше снизить потери проводимости, уменьшить рассеиваемую мощность и повысить эффективность устройств. Новая структура MOSFET приборов TrenchFET Gen IV позволяет размещать транзисторы на кристаллах намного меньшего размера без существенного увеличения заряда затвора, решая, таким образом, проблему, характерную для устройств с большим количеством транзисторных ячеек. Вследствие низкого заряда затвора уменьшается и его произведение на сопротивление канала. Так, например, транзистор SiRA04DP при напряжении 4.5 В имеет комплексный показатель качества всего 56 нКл•Ом. SiRA00DP, SiRA02DP и SiRA04DP выпускаются в корпусе PowerPAK SO-8 размером 6.15 × 5.15 мм. Приборы SiSA04DN, имея примерно такую же эффективность, выпускаются в корпусе PowerPAK 1212-8 втрое меньшей площади (3.30 × 3.30 мм). Все устройства имеют отношение зарядов QGD/QGS равное 0.5, или меньше, что уменьшает влияние эффекта Миллера.
MOSFET транзисторы Vishay нового поколения имеют сопротивление открытого канала 1 мОм
MOSFET транзисторы Vishay нового поколения имеют сопротивление открытого канала 1 мОм
PowerPAK SO-8
в сравнении с корпусом SO-8
 PowerPAK 1212-8
Конструкция SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN оптимизирована для использования приборов в составе DC/DC преобразователей с высокой плотностью мощности, в синхронных выпрямителях, синхронных понижающих преобразователях и схемах резервирования питания. Типичный перечень устройств, в которых найдут применение новые транзисторы, включает в себя импульсные источники питания, VRM (модули регулирования напряжения), системы распределенного питания, блоки телекоммуникационного оборудования, персональные компьютеры и серверы. Приборы TrenchFET Gen IV проходят 100-процентный выходной контроль параметров RG и UIS. По содержанию вредных веществ и галогенов все транзисторы соответствуют предписаниям директив RoHS и IEC 61249-2-21. Технические характеристики:
Прибор SiRA00DP SiRA02DP SiRA04DP SiSA04DN
VDS (В) 30 30 30 30
VGS (В) 20 20 20 20
RDS(ON)
(Ом) макс.
VGS = 10 В 0.00100 0.00200 0.00215 0.00215
VGS = 4.5 В 0.00135 0.00270 0.00310 0.00310
QG (нК) VGS = 4.5 В 66.0 34.3 22.5 22.5
QGS (нК) 26.0 13.6 8.6 8.6
QDS (нК) 8.6 4.1 4.0 4.0
Корпус PowerPAK SO-8 PowerPAK 1212-8
Транзисторы TrenchFET Gen IV уже выпускаются серийно. Срок поставки промышленных партий – 12 недель, образцы для испытаний предоставляются немедленно.
На английском языке: Next-Generation TrenchFET Gen IV 30 V N-Channel Power MOSFETs Feature On-Resistance Down to 1.0 mΩ at 10 V and 1.35 mΩ at 4.5 V

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (15)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"