Новые полупроводниковые приборы выполнены в тонких корпусах, отличаются низкими токами утечки затвораFairchild Semiconductor расширяет свою линейку P-канальных PowerTrench MOSFET, которые позволят усовершенствовать разрабатываемые для сотовых телефонов и других портативных устройств схемы зарядки аккумуляторов и включения нагрузки.Полевые MOSFET FDMA910PZ и FDME910PZT выполнены в корпусах MicroFET и обладают, для их физических размеров (2 × 2 мм и 1.6 × 1.6 мм), отличными тепловыми характеристиками, поэтому хорошо подходят для использования в схемах коммутации и в линейном режиме. FDMA910PZ и FDME910PZT обладают низким сопротивлением канала в открытом состоянии, поставляются на рабочее напряжение 20 В. Для защиты от повреждения статическим электричеством (ESD) FDMA910PZ и FDME910PZT оснащены оптимизированной защитой на основе стабилитрона, что снижает также максимальную утечку IGSS с 10 мкА до 1 мкА.
![]()
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости. Популярные статьи по ремонту audio - videoНовые статьи по радиоэлектронике |