Программа Сервисный Центр
0

ВЧ транзисторы следующего поколения, выполненные по усовершенствованной технологии, обеспечивают повышенную чувствительность приемников на высоких частотах


В дополнение к ВЧ транзисторам и MMIC, Infineon предлагает ВЧ транзисторы, выполненные на базе технологии следующего поколения SiGe:C HBT (Silicon Germanium Carbon Hetero Bipolar Transistor – кремний-германий-углеродной гетеробиполярной технологии). Чтобы разработать данную технологию, научно-технические специалисты поставили перед собой задачу уменьшить разрыв между точками Гo (Gamma Opt) (расположением оптимальных импедансов источников для получения минимального коэффициента шумов) при 5-6 ГГц и 50 Ом. Это позволяет пользователям быстро разрабатывать системы с согласованием по входу, не требующие подключения каких-либо внешних согласующих компонентов. Таким образом, эти ВЧ транзисторы восьмого поколения устанавливают новый уровень производительности, обеспечивая лучшее в своем классе решение для построения МШУ. Среди преимуществ – низкий коэффициент шумов (менее 1 дБ на частотах 5-6 ГГц на уровне устройства и 0.75 дБ NFmin на уровне транзистора), лучшее значение коэффициента усиления по мощности (около 15 дБ) на уровне устройства и максимальное значение коэффициента усиления по мощности 22 дБ на уровне устройства, сокращение перечня комплектующих, меньшие размеры посадочного места на печатной плате и лучшая линейность при низких напряжениях питания. Кроме того, транзисторы этого нового семейства устойчивы к воздействию электростатических разрядов (ESD) и высокой входной мощности благодаря встроенной ESD-защите на входе и на выходе.
ВЧ транзисторы следующего поколения, выполненные по усовершенствованной технологии, обеспечивают повышенную чувствительность приемников на высоких частотах
Транзисторы выпускаются в различных корпусах. Транзистор BFP840ESD – в корпусе SOT343, BFP840FESD – в корпусе TSFP-4, а BFR840L3RHESD – в сверхминиатюрном корпусе TSLP-3 (1 × 0.6 × 0.31 мм3). В настоящее время в разработке находятся и другие варианты данных приборов на базе новой технологии.ОсобенностиБолее высокий коэффициент усиления при частоте свыше 4 ГГцNFmin = 0.75 дБ в диапазоне 5-6 ГГцПревосходная линейность при низких рабочих напряженияхВстроенная ESD-защитаНизкая потребляемая мощностьМалое количество внешних компонентовНизкая потребляемая мощность, идеальная для мобильных устройствСогласование мощности и шумов в диапазоне 5-6 ГГцЛучшие в своем классе шумовые характеристики: NFmin = 0.75 дБ в диапазоне 5-6 ГГцВысокая максимальная входная ВЧ мощностьПрименениеУстройства мобильной и фиксированной связи: WLAN 802.11, WiMAX и UWBСпутниковые системы связи: спутниковое радио (SDARS, DAB), навигационные системы (например, GPS, GLONASS) и малошумящие блоки (LNB) C-диапазона (1-й и 2-й каскады МШУ)ВЧ каскады LNB Ku-диапазона (2-й или 3-й каскад МШУ и смеситель)Генераторы Ka-диапазона (DRO)

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (10)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"