Программа Сервисный Центр
0

Быстродействие магниторезистивной памяти компании Everspin в 500 раз превосходит NAND flash


Компания Everspin Technologies выводит на рынок первую коммерческую микросхему магниторезистивной оперативной памяти на основе переноса спинового момента (Spin-Torque Magnetoresistive RAM – ST-MRAM), – новый тип памяти со сверхмалыми задержками, которая может стать быстродействующей альтернативой подсистемам энергонезависимой DRAM.

Быстродействие магниторезистивной памяти компании Everspin в 500 раз превосходит NAND flash

Устройство емкостью 64 Мб является первым в линейке продукции компании Everspin, которую она планирует расширить высокоскоростными моделями объемом до 1 Гб. Новый тип памяти в 500 раз превосходит по скорости NAND flash и также долговечен, как DRAM.

Являясь первой полупроводниковой памятью, сочетающей в себе скорость и надежность DRAM и энергонезависимость Flash, ST-MRAM даст разработчикам систем хранения данных возможность добиться сверхмалых задержек, повысить надежность за счет большого количества циклов обращения и защитить данные в случае потери питания. Одним из примеров потенциального использования нового продукта может быть оборудование для облачного хранения информации. С учетом увеличения числа пользователей и количества информации, необходимость в емких хранилищах с быстрым доступом становится очевидной.

Собственная технология переноса спинового момента компании Everspin (Spin-Torque technology) использует для переключения спин-поляризованный ток. Модель EMD3D064M емкостью 64 Мб функционально совместима с отраслевым стандартом JEDEC интерфейса DDR3, позволяющим пересылать данные со скоростью до 1600 миллионов передач в секунду на одну линию ввода/вывода, что соответствует пропускной способности памяти 3.2 ГБ/с. Микросхема предлагается в стандартном для DDR3 корпусе WBGA.

Быстродействие магниторезистивной памяти компании Everspin в 500 раз превосходит NAND flash
Фотография корпуса

Микросхемы ST-MRAM примерно в 50 раз дороже, чем NAND flash, а это означает, что перспективы их применения в качестве обычных запоминающих устройств пока весьма сомнительны. Тем не менее, как ожидается, цена за гигабайт ST-MRAM в течение ближайших 5 лет упадет с уровня SRAM до уровня DRAM.

Быстродействие магниторезистивной памяти компании Everspin в 500 раз превосходит NAND flash
Фотография кристалла

Everspin уже поставляет рабочие образцы микросхем EMD3D064M отдельным заказчикам, а подробности относительно широкой доступности продукта сообщит в 2013 году.

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (15)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"