Программа Сервисный Центр
0

650-вольтовая серия транзисторов TRENCHSTOP 5 переопределяет понятие «лучший в своем классе» IGBT


В ближайшем будущем разработчики будут вынуждены уделять все больше внимания достижению наилучшего соотношения цена/производительность. Разработанная Infineon технология TRENCHSTOP 5 призвана сыграть в этом вопросе ключевую роль. Она позволяет снизить стоимость готовых устройств благодаря повышению КПД и увеличению надежности и /или выходной мощности (за счет более высокого пробивного напряжения). С точки зрения выражения цена/производительность серия TRENCHSTOP 5 в первую очередь ориентирована на повышение производительности.

Технология TRENCHSTOP 5 позволяет кардинальным образом снизить потери на переключение и проводимость. Ни один из предлагаемых на рынке IGBT-ключей не может обеспечить такой производительности. По информации, поступающей от первых потребителей, простая замена прежних ключей на новые позволила снизить температуру корпуса более чем на 25%. Еще более впечатляющие результаты могут быть достигнуты при использовании оптимизированных конструкций с низкой паразитной индуктивностью.

650-вольтовая серия транзисторов TRENCHSTOP 5 переопределяет понятие «лучший в своем классе» IGBT

Новая технология имеет три основных преимущества: благодаря повышению пробивного напряжения с 600 до 650 В она позволяет либо повысить надежность за счет облегчения рабочего режима, либо увеличить напряжение питания для достижения большей удельной мощности. Кроме того, существенное снижение напряжения насыщения Vce(sat) и потерь на переключение значительно повышает общий КПД. Заряд затвора (Qg) уменьшен в 2.5 раза по сравнению с предыдущей технологией HS3. Это позволяет упростить схему управления и, как следствие, снизить ее стоимость.

Продукция серии TRENCHSTOP 5 будет доступна в двух вариантах: H5 и F5. Оба варианта могут поставляться как с новым 650-В обратным защитным кремниевым диодом (FWD), так и без него.

Вариант H5 представляет собой IGBT-ключ типа plug-and-play. Разработчики получат возможность использовать его и все его преимущества сразу, не меняя драйверы или резисторы затвора. Для достижения максимального КПД транзисторы H5 могут использовать один и тот же 5-Ом резистор затвора для сигналов включения и выключения.

Вариант F5 предназначен для устройств, ориентированных на достижение максимальной эффективности. При использовании совместно с карбид-кремниевыми диодами он позволяет как минимум на 0.5% повысить КПД по сравнению с H5. Для достижения этой цели необходимо использовать разные резисторы затвора для режимов включения и выключения, а конструкция в целом должна обеспечивать минимальные паразитные индуктивности.

Особенности

  • Повышение пробивного напряжения до 650 В с типичных для других IGBT 600 В позволяет повысить надежность.
  • Напряжение питания может быть повышено на 50 В без снижения надежности. Такое повышение позволит создавать конструкции с более высокой плотностью мощности.
  • Заряд затвора уменьшен в 2.5 раза по сравнению с HS3. В результате переключение IGBT требует меньших выходных токов драйвера, что позволяет использовать менее мощные и, следовательно, более дешевые драйверы и тем самым сократить стоимость системы.
  • Позволяет достичь лучших в своем классе параметров КПД и температуры кристалла и корпуса за счет вдвое меньших по сравнению с HS3 потерь на переключение и снижения напряжения насыщения Vce(sat) на 200 мВ.

Применение

  • Сварочные аппараты, ИБП, солнечные батареи и другие приложения, где не требуется поддержка режима короткого замыкания.
  • Ориентированы на использование в ККМ и ШИМ-преобразователях с частотой переключения от 20 до 100 кГц.
 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (15)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"