Программа Сервисный Центр
0

Vishay Intertechnology представила новый, мощный n-канальный автомобильный TrenchFET MOSFET с пониженным сопротивлением канала


Vishay Intertechnology представила новый мощный, n-канальный TrenchFET MOSFET на напряжение 40 В, соответствует требованиям стандарта AEC-Q101. Разработанный для использования в автомобильных системах, SQM200N04-1m1L – первый мощный MOSFET компании Vishay в 7-выводном корпусе D2PAK, обладающий низким сопротивлением в открытом состоянии и большим допустимым током.

Vishay Intertechnology представила новый, мощный n-канальный автомобильный TrenchFET MOSFET с пониженным сопротивлением канала

Особенности продукта

  • Соответствует требованиям автомобильного стандарта AEC-Q101
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии: 1.1 мОм (макс.) при напряжении 10 В и 1.3 мОм (макс.) при напряжении 4.5 В
    • Низкое сопротивление RDS(ON) до минимума сокращает потери проводимости
  • Позволяет разработчикам создавать особо надежные конструкции
    • Продолжительный ток стока до 200 А
    • Лавинный ток в одиночного импульса до 100 А при энергии до 500 мДж
  • Низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0.4 °C/Вт
  • Широкий диапазон рабочих температур от –55 °C до +175 °C
  • Соответствует требованиям директивы RoHS и не содержит галогенов
  • 100% выходной контроль на соответствие параметров RG и UIS.

Назначение

  • Мощные системы управления автомобильными моторами, включая электрический привод рулевого управления.

Основные характеристики

  • Корпус: 7-выводной D2PAK
  • VDS: 40 В
  • VGS: 20 В
  • ID: 200 A
  • RDS(ON):
    • 1.1 мОм при 10 В
    • 1.3 мОм при 4.5 В
  • Тепловое сопротивление кристалл-корпус: 0.4 °C/Вт
  • Лавинный ток одиночного импульса: 100 A
  • Лавинная энергия одиночного импульса: 500 мДж
  • Диапазон рабочих температур от –55 °C до +175 °C.

Применение

Разработанный для использования в автомобильных системах, SQM200N04-1m1L объединяет преимущества 7-выводного корпуса D2PAK с n-канальной технологией высокой плотности третьего поколения TrenchFET Gen III. В результате, сверхнизкое сопротивление открытого канала составляет максимум 1.1 мОм при 10 В, что минимизирует потери проводимости и, таким образом, снижает типичную рабочую температуру устройства.

SQM200N04-1m1L производится с использованием специальных технологий и материалов, разработанных Vishay для приборов автоэлектроники, включая корпус, позволяющий создавать выносливые автомобильные конструкции, безотказно работающие при токах до 200 А.

Доступность

Как единичные образцы, так и партии новых мощных автомобильных MOSFET доступны уже сегодня. Сроки поставки при крупных заказах составляют от 14 до 16 недель.

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (12)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"