Программа Сервисный Центр
0

Новые миниатюрные силовые MOSFET компании Vishay имеют самое низкое в отрасли сопротивление канала


Компания Vishay Intertechnology представила новые n- и р-канальные силовые TrenchFET MOSFET с напряжением стока 8 и 20 вольт и самым низким в отрасли сопротивлением в открытом состоянии. Устройства выполнены в корпусах MICRO FOOT с размерами 1 × 1 × 0.55 мм и 1.6 × 1.6 × 0.6 мм.

Приборы предназначены для подключения батарей или нагрузки в системах управления питанием такой портативной электроники, как смартфоны и мобильные компьютеры. Компактные размеры и сверхтонкий профиль этих MOSFET позволят создавать еще более тонкие и легкие устройства, а их низкое сопротивление в открытом состоянии сокращает потери мощности и продляет время автономной работы до подзарядки. Низкое сопротивление в открытом состоянии также означает меньшее падение напряжения на ключах коммутации питания, что предотвращает нежелательную блокировку при разряде батарей.

Новые миниатюрные силовые MOSFET компании Vishay имеют самое низкое в отрасли сопротивление канала

Для приложений, где низкое сопротивление в открытом состоянии является более приоритетным, чем экономия пространства, n-канальный Si8424CDB с напряжением стока 8 В и р-канальный Si8425DB с напряжением 20 В обеспечивают максимальное сопротивление в открытом состоянии 20 мОм и 23 мОм, соответственно, при управляющем напряжении затвора 4.5 В. Устройства предлагаются в корпусах CSP с размерами 1.6 × 1.6 × 0.6 мм. Для устройств, где минимальная площадь на плате является более важным параметром, чем сопротивление, может использоваться 8-вольтовый n-канальный MOSFET типа Si8466EDB с максимальным сопротивлением в открытом состоянии 43 мОм при напряжении затвора 4.5 В. размер корпуса этого транзистора всего 1 × 1 × 0.55 мм. Si8466EDB устойчив к электростатическим разрядам с напряжением до 3000 В.

Значения сопротивлений в открытом состоянии, специфицированные для напряжений затвора от 1.2 В, позволяют использовать Si8466EDB и Si8424CDB с более низковольтными драйверами затворов и с меньшими напряжениями на шинах питания, распространенными в портативных устройствах, позволяя сократить объем и стоимость цепей смещения уровня. Все устройства соотвествуют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU и не содержат галогенов в соответствии с определением JEDEC JS709A.

Технические характеристики устройств:

ПриборSi8466EDBSi8424CDBSi8425DB
ПолярностьNNP
VDS (В)88-20
RDS(ON) (мОм) макс. при4.5 В432023
2.5 В462127
1.8 В2340
1.5 В6028
1.2 В9045
Размеры (мм × мм)1 × 11.6 × 1.61.6 × 1.6
Высота (мм)0.550.60.6

Отдельные образцы и партии новых мощных TrenchFET MOSFET доступны уже сегодня, при сроках поставки от 12 до 14 недель для крупных заказов.

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (12)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"