Программа Сервисный Центр
0

IXYS выпустила самые высоковольтные в отрасли силовые MOSFET


IXYS Corporation анонсировала начало производства линейки самых высоковольтных в отрасли силовых MOSFET. N-канальные приборы с допустимым напряжением стока 4500 В выпускаются в корпусах, полностью соответствующих международным стандартам. Семейство включает транзисторы с допустимым рабочим током от 200 мА до 2 А. Приборы разрабатывались специально для высокочастотных преобразователей энергии, требующих очень высокого запирающего напряжения.

IXYS выпустила самые высоковольтные в отрасли силовые MOSFET

Благодаря положительному температурному коэффициенту сопротивления открытого канала, новые высоковольтные MOSFET очень удобно использовать в параллельном включении, что, к тому же, намного проще и дешевле, чем последовательное включение низковольтных транзисторов. Это также сокращает количество необходимых драйверов затворов, упрощает схему, уменьшает требуемую площадь печатной платы и повышает общую надежность системы. «Всем нам известно из базового курса физики, что передача электрической энергии происходит тем эффективнее, чем выше напряжение в линии. Именно поэтому мы разработали новую технологию, чтобы максимально приблизить рабочее напряжение преобразователей энергии к напряжению сети», – комментирует Натан Зоммер (Nathan Zommer), основатель и генеральный директор IXYS Corporation. – «Во многих промышленных, транспортных и медицинских приложениях используются высоковольтные схемы управления, для которых и создан наш транзистор».

Беспрецедентный уровень изоляции в 4500 В достигнут с помощью технологии DCB (Direct Copper Bond), при которой кристалл транзистора монтируется на отделенное керамической пластиной медное основание, одновременно выполняющее функции вывода и теплоотвода. DCB обеспечивает низкое тепловое сопротивление и лучшие в своем классе мощность и устойчивость к термоциклированию. По уровню пожарной безопасности используемый для опрессовки эпоксидный компаунд соответствует требованиям стандарта UL 94 V-0 (самозатухание в течение 10 с).

Новые силовые MOSFET могут стать оптимальным решением для таких приложений, как системы отвода энергии от высоковольтных сетей, разрядные цепи конденсаторов, высоковольтное автоматизированное измерительное оборудование, блоки накачки лазеров и питания рентгеновских трубок, высоковольтные источники питания и импульсные схемы.

4500-вольтовые MOSFET выпускаются в разработанных IXYS высоковольтных версиях стандартных корпусов TO-263, TO-268, ISOPLUS i4-Pak и ISOPLUS i5-Pak. В настоящее время доступны приборы IXTT02N450HV, IXTA02N450HV, IXTF02N450, IXTF1N450, IXTT1N450HV и IXTL2N450 с допустимым током стока 200 мА, 200 мА, 200 мА, 900 мА, 1 А и 2 А, соответственно.

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (1)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"