Программа Сервисный Центр
0

Новые прецизионные сборки MOSFET компании ALD работают при напряжении питания менее 100 мВ


MOSFET EPAD следующего поколения расширяют диапазон рабочих режимов оборудования с низким напряжения питания

Advanced Linear Devices (ALD) анонсировала выпуск первых в отрасли малосигнальных прецизионных согласованных сборок MOSFET с независимыми выводами управления каждым из четырех транзисторов, размещенных в одном корпусе. Эти инновационные приборы откроют новые возможности создателям следующих поколений устройств сбора энергии и маломощных мобильных устройств.

Новые прецизионные сборки MOSFET компании ALD работают при напряжении питания менее 100 мВ

Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 с нулевым напряжением порога устанавливают новые отраслевые стандарты проходной и выходной проводимости. Изготавливаемые по разработанной ALD КМОП технологии EPAD, сборки позволят конструкторам создавать схемы с ультранизкими, никогда ранее не доступными напряжениями питания.

Новые прецизионные сборки MOSFET компании ALD работают при напряжении питания менее 100 мВ

Следующие уникальные особенности приборов могут изменить традиционные правила игры для схемотехников:

  • Пороговое напряжение затвора VGS(TH) с высокой точностью установлено на уровне 0.00 В ±0.01 В
  • Типовое рассогласование пороговых напряжений 2 мВ, максимальное – 10 мВ
  • Работа в подпороговых и нановаттных режимах
  • Параметры, открывающие революционные возможности:
    • Минимальное рабочее напряжение ниже 100 мВ
    • Минимальный рабочий ток ниже 1 нА
    • Минимальная рабочая мощность менее 1 нВт

Влияние на схемотехнику

Независимое управление каждым транзистором прибора изменит подход к разработке схем благодаря возможности индивидуальной установки входных и выходных характеристик.

Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 дадут разработчикам возможность сократить количество аккумуляторов, необходимых для их мобильных устройств. Уникальная гибкость новых устройств позволит повысить энергоэффективность медицинских приборов, улучшить качество звучания головных телефонов премиум-класса и потребительских устройств, расширить рабочий диапазон устройств сбора энергии, повысить чувствительность сенсорных матриц и поднять на новый уровень качества еще множество низковольтных микромощных приложений.

Конструкторы, использующие сборки ALD210800A/ALD210800, смогут создавать многокаскадные схемы, работающие при экстремально низких напряжениях питания и смещения. Теперь появляется возможность построить нановаттный входной каскад усилителя, работающий при напряжении питания менее 0.2 В, – это новый рекорд отрасли.

Технологические особенности

Новые сборки ALD210800A/ALD210800, фактически, на новом качественном уровне продолжают линейку согласованных пар MOSFET ALD110800A/ALD110800 – первых в отрасли приборов с нулевым напряжением порога, предназначенных для создания устройств с ультра низким напряжением питания. Первостепенное внимание разработчики транзисторов уделяли согласованию характеристик MOSFET. В результате были созданы приборы с исключительно точным пороговым напряжением затвора 0.00 В ±0.01 В, током стока +10 мкА при напряжении сток-исток 0.1 В и типовым напряжением смещения ±1 мВ.

Кроме того, транзисторы ALD210800A/ALD210800 могут использоваться в качестве универсальных элементов самых различных аналоговых узлов, таких, как токовые зеркала, схемы согласования, источники тока, входные каскады дифференциальных усилителей, передаточные логические элементы и мультиплексоры. Приоритетными областями применения приборов могут быть также приложения с ограниченным рабочим напряжением, например, фиксаторы уровней очень малых напряжений и постоянно включенные схемы с нановаттным потреблением мощности.

Характеристики каждого отдельного MOSFET строго контролируются в процессе изготовления, что позволяет гарантировать идентичность параметров даже для приборов из разных производственных партий. Приборы, создававшиеся с акцентом на минимизацию напряжения смещения и чувствительности к температуре, могут использоваться в усилительных и переключательных схемах с напряжением питания от +0.1 В до +10 В (от ±0.05 до ±5 В), требующих низких токов смещения, малых входных емкостей и высоких скоростей переключения. Транзисторы сборок работают в режиме обогащения при VGS > 0.00 В и в обедненном режиме при VGS < 0.00 В.

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (15)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"