ROHM разработала самый маленький в отрасли транзистор

Недавно ROHM объявила о выпуске самого миниатюрного в отрасли транзистора. Корпус VML0604 с размерами 0.6 × 0.4 мм и высотой 0.36 мм занимает на плате вдвое меньшую площадь, чем аналоги, что делает его идеальным для смартфонов и других устройств, становящихся все меньше и тоньше.

Что касается сокращения размеров транзисторов, в дополнение к таким техническим проблемам, как стабильность термокомпрессионных соединений и точность изготовления корпусов, отдельную проблему составляло неизбежное увеличение сопротивления открытого канала и снижение до 20 В максимального рабочего напряжения. Компании ROHM, однако, удалось успешно уменьшить и размеры корпуса, и сопротивление канала, одновременно повысив рабочее напряжение до 60 В и обеспечив революционный уровень характеристики и надежности.

Транзисторы уже продаются небольшими партиями по цене $0.84 за штуку. Массовое производство запланировано на июнь 2014 года.

Ключевые особенности

1. Самый маленький корпус существенно снижает монтажную площадь

Новые технологии производства кристаллов и корпусирования, в сочетании с оптимизацией внутренней структуры, позволили ROHM создать самый маленький в индустрии транзисторный корпус VML0604, имеющий размеры всего 0.6 × 0.4 × 0.36 мм. В результате монтажная площадь была сокращена на 50%, что cделало транзистор идеальным прибором для приложений с высокой плотностью в портативных устройствах всех типов.

Этот новый корпус будет использован в существующей линейке малосигнальных MOSFET, что позволит уменьшить занимаемый ими объем в различных приложениях.

2. Точный зазор в 0.2 мм между выводами упрощает монтаж

С уменьшением размеров компонентов их монтаж на плату становится более сложным. Для сохранения возможности использования существующего оборудования для установки новых транзисторов ROHM оставила зазор между выводами равным 0.2 мм.

3. Сверхнизкое сопротивление открытого канала в самом миниатюрном корпусе

Для уменьшения размеров корпуса приходится уменьшать размеры кристалла транзистора, но тогда резко увеличивается сопротивление канала и возрастают тепловые потери, в результате чего становится трудно разместить в таком корпусе даже малосигнальные транзисторы.

Однако внедрение новых технологических процессов сделало возможным создание ультракомпактных транзисторов с максимальным напряжением 30 В и лучшим в отрасли сопротивлением канала 0.25 Ом (при UGS = 4.5 В).

4. Линейка новых транзисторов включает продукты с напряжением от 40 до 60 В

Повысить диапазон рабочих напряжений удалось при сохранении низкого сопротивления канала.