Программа Сервисный Центр
0

Infineon расширила семейство SiC диодов Шоттки 1200-вольтовыми приборами нового поколения


Infineon расширила семейство SiC диодов Шоттки 1200-вольтовыми приборами нового поколения
Infineon Technologies расширила свое обширное семейство карбид кремниевых (SiC) приборов, представив 1200-вольтовые диоды Шоттки пятого поколения thinQ!. Новые SiC диоды отличаются сверхнизким прямым напряжением во всем диапазоне рабочих температур, увеличенным более чем вдвое значением допустимого перегрузочного тока и отличными тепловыми характеристиками. Приборы позволят значительно повысить эффективность и эксплуатационную надежность солнечных инверторов, источников бесперебойного питания, трехфазных импульсных преобразователей и драйверов двигателей.

В SiC диодах пятого поколения используется новая конструкция кристалла значительно уменьшенного размера. Благодаря этому, в свою очередь, уменьшилось дифференциальное сопротивление на единицу площади кристалла. Результатом явилась возможность снижения потерь в диоде до 30% по сравнению с приборами предыдущего поколения, например, во входных силовых каскадах инверторов солнечных электростанций, работающих при полной нагрузке на частоте 20 кГц.

При температуре перехода 150 °C типовое прямое напряжение равно 1.7 В, что на 30% меньше, чем у подобных приборов предыдущего поколения. Это наименьше прямое напряжение среди всех SiC диодов с обратным напряжением 1200 В, доступных в настоящее время на рынке. Особенно подходящей сферой использования новых SiC диодов являются приложения с относительно высокой нагрузкой, такие, например, как системы бесперебойного питания.

Infineon расширила семейство SiC диодов Шоттки 1200-вольтовыми приборами нового поколения

В зависимости от типа диода, порог допустимого перегрузочного тока был повышен до 1400% от номинального уровня, обеспечив больший запас надежности при использовании диодов в приложениях, испытывающих воздействие бросков тока. Это позволяет исключить из схемы обратный диод, сократив ее размеры и стоимость.

Объединение новых 1200-вольтовых диодов Шоттки thinQ! SiC с лучшими в своем классе 1200-вольтовыми IGBT семейства Highspeed3 в схемах повышающих преобразователей и корректоров коэффициента мощности дает существенный выигрыш на системном уровне. При этом снижаются не только потери в диоде, но и улучшаются характеристики IGBT Highspeed3 благодаря уменьшению потерь включения (из чего следует возможность использования меньших теплоотводов или увеличения эффективности) и сокращению уровня электромагнитных излучений (что позволяет использовать фильтры меньших размеров).

Доступность

Семейство SiC диодов пятого поколения выпускается в корпусах TO-247, TO-220 и DPAK. Дополнительно предлагаются новые, лучшие в своем классе сдвоенные 40-амперные диоды с общим катодом в корпусах TO-247, сокращающие объем преобразователей с топологией, использующей режим чередования. Варианты в других корпусах компания намерена представить в 2015 году.

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (10)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"