Программа Сервисный Центр
0

Новые GaN транзисторы компании Cree заменят ЛБВ в радарных системах


Cree представила два лучших в отрасли GaN HEMT устройства (HEMT – high-electron-mobility transistor – транзистор с высокой подвижностью электронов), которые решат целый ряд старых проблем радиолокационных систем, использующих традиционные усилители на лампах бегущей волны (ЛБВ). Работающим при напряжении 50 В арсенид галлиевым твердотельным усилителям не нужны высоковольтные источники питания, необходимые в системах с ЛБВ и являющиеся источником частых отказов. Кроме того, такие твердотельные системы почти моментально готовы к работе, поскольку не требуют разогрева, имеют бóльшую дальность обнаружения и повышенную достоверность распознавания целей.

Новые GaN транзисторы компании Cree заменят ЛБВ в радарных системах

Нацелившись с самого начала на реализацию этих преимуществ, Cree смогла разработать два новых радиочастотных GaN транзистора с наивысшей мощностью и наилучшим КПД при небольших размерах корпуса. Первое устройство – 350-ватный полностью согласованный GaN HEMT C-диапазона, превосходит по мощности все приборы аналогичного класса, предлагаемые сегодня на рынке. Второй прибор – GaN HEMT, отдающий мощность 500 Вт в нагрузку 50 Ом, является самым мощным полностью согласованным транзистором S-диапазона среди приборов в корпусах такого же размера.

«Новые продукты C- и S-диапазонов компании Cree побили рекорды мощности и КПД для GaN силовых приборов в миниатюрных 50-омных корпусах. Эти энергоэффективные транзисторы позволяют создавать экономичные многокиловаттные усилители мощности, необходимые для военных радаров, а также для радаров контроля погоды и воздушного трафика, – сказал Том Деккер (Tom Dekker), директор по продажам и маркетингу подразделения радиочастотных продуктов компании Cree. – По такому показателю качества, как отношение выходной радиочастотной мощности к площади 50-омного корпуса, 350-ваттное устройство C-диапазона превосходит ближайшие коммерческие транзисторы конкурентов приблизительно в 3.5 раза. Использование такого же критерия качества применительно к 500-ваттным приборам S-диапазона показывает, что эти транзисторы компании Cree обошли все аналогичные коммерческие продукты более чем на 45 процентов».

При типичной импульсной мощности в режиме насыщения более 400 Вт, транзистор CGHV59350 найдет применение в системах наземных военных и доплеровских метеорологических радиолокаторов. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, выпускаемый в стандартном корпусе размером 17.8 × 22.9 мм, работает в диапазоне частот от 5.2 до 5.9 ГГц и имеет типовой КПД стока 60%.

Основной областью применения прибора CGHV31500F, отдающего в режиме насыщения импульсную мощность 700 Вт, будут радарные системы управления воздушным движением. Полностью согласованный 50-омный GaN HEMT, предназначенный для диапазона частот от 2.7 до 3.1 ГГц, имеет усиление по мощности 12 дБ и выпускается в стандартном для отрасли металлокерамическом корпусе размером 17.8 × 22.9 мм.

Хотите получать уведомления о выходе новых материалов на сайте?
Подпишитесь на рассылку!

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (10)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"