Программа Сервисный Центр
0

Samsung запускает в массовое производство первые в отрасли DRAM с проектными нормами 10 нм


Преодолев технические сложности масштабирования DRAM, Samsung первой в мире открывает дверь в мир «DRAM класса 10 нм»

Samsung Electronics объявила о начале крупносерийного производства первых изделий с проектными нормами 10 нм – 8-гигабитных микросхем памяти DDR4, а также модулей на их основе. DDR4 быстро становится наиболее массовой памятью для персональных компьютеров и IT-сетей во всем мире, и последнее достижение компании Samsung поможет ускорить общеотраслевой переход к самым современным DDR4 продуктам.

Samsung запускает в массовое производство первые в отрасли DRAM с проектными нормами 10 нм

Samsung стала первой в отрасли компанией, преодолевшей все технические сложности масштабирования DRAM и открывшей дверь в мир «DRAM класса 10 нм». Эти проблемы были решены с использованием существующей установки иммерсионной литографии с аргон-фторидным лазером, не требующей использования коротковолновой области ультрафиолета (EUV – extreme ultra violet).

Переход на выпуск DRAM класса 10 нм стал для Samsung еще одной важной вехой после освоения ею в 2014 году промышленного производства 4-гигабитных микросхем DDR3 с проектными нормами 20 нм.

DRAM 8 Гб класса 10 нм значительно увеличивают съем кристаллов с пластины, поднимая его на 30% по сравнению с аналогичными DRAM, произведенными по технологии 20 нм.
Скорость передачи данных новой DRAM составляет 3200 Мбит/с, что более чем на 30% превышает скорость 2400 Мбит/с для DDR4 DRAM, изготовленной по предыдущей технологии. Кроме того, новые модули, созданные на чипах DRAM с топологией 10 нм, потребляют от 10 до 20 процентов меньше энергии, чем их предшественники с размерами 20 нм. Это повысит эффективность высокопроизводительных вычислительных систем следующего поколения и крупных корпоративных сетей, а также найдет применение для ПК и основных серверных рынков.

Первая в отрасли DRAM класса 10 нм появилась в результате интеграции разработанных Samsung передовых технологий конструирования и изготовления микросхем памяти. Для достижения столь высокого уровня масштабируемости DRAM Samsung продвинула свои технологические инновации еще на один шаг по сравнению с тем, что использовалось для DRAM 20 нм. Ключевыми среди этих инновациями стали усовершенствование конструкции ячеек, QPT литография (QPT – quadruple patterning technology – технология четырехкратного формирования рисунка) и осаждение ультратонкого диэлектрического слоя.

В отличие от NAND флэш-памяти, каждая ячейка которой состоит из единственного транзистора, для одной ячейки DRAM требуются связанные друг с другом конденсатор и транзистор. Как правило, конденсатор располагается наверху области, под которой размещается транзистор. В случае новых DRAM класса 10 нм добавляется еще один уровень сложности в связи с необходимостью установки очень узких конденсаторов цилиндрической формы, хранящих большие электрические заряды, на верхней поверхности транзисторов шириной в несколько десятков нанометров, и создания более восьми миллиардов таких ячеек.

Используя фирменную технологию проектирования и четырехкратное формирование рисунка, в Samsung успешно создали новую структуру ячеек класса 10 нм. Благодаря четырехкратному формированию рисунка, позволяющему использовать существующие установки фотолитографии, Samsung также заложила технологическую основу разработки следующего поколения DRAM с проектными нормами 10 нм.

Кроме того, использование усовершенствованной технологии нанесения диэлектрического слоя позволило улучшить параметры новых DRAM класса 10 нм. Инженеры Samsung смогли с беспрецедентной равномерностью осадить на конденсаторы запоминающих ячеек сверхтонкие слои диэлектрика толщиной в единицы ангстрем, получив емкость, достаточную для существенного повышения характеристик ячеек.

Опираясь на успех своих новых DDR4 DRAM с топологическими нормами 10 нм, Samsung планирует позднее в этом году представить решение DRAM с высокой плотностью упаковки и скоростью для мобильных приложений, чем еще больше укрепит свое лидерство на рынке Ultra HD смартфонов.

Представляя широкий спектр модулей DDR4 класса 10 нм с емкостью от 4 ГБ для ноутбуков до 128 ГБ для корпоративных серверов, в течение года Samsung также будет параллельно расширять свою линейку DRAM с проектными нормами 20 нм.

Теги: Samsung
 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (12)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"