Программа Сервисный Центр
0

ON Semiconductor устанавливает новые стандарты энергоэффективности мощных IGBT


ON Semiconductor представила новую серию биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), изготовленных по запатентованной компанией технологии Ultra Field Stop с щелевой структурой. Транзисторы NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120L3WG с повышенным уровнем эксплуатационных характеристик разработаны в соответствии со строгими требованиями современных коммутационных приложений. По уровню полных потерь переключения эти 1200-вольтовые устройства могут стать лидерами отрасли. Столь замечательное улучшение характеристик отчасти объясняется очень широким высокоактивированным слоем Field-Stop и оптимизацией параметров встроенного диода.

ON Semiconductor устанавливает новые стандарты энергоэффективности мощных IGBT

Типовое значение общих потерь переключения равно 2.7 мДж для транзисторов NGTB40N120FL3WG и 1.7 мДж для NGTB25N120FL3WG. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер обоих приборов при соответствующих номинальных токах составляет 1.7 В. NGTB40N120L3WG оптимизирован для снижения потерь проводимости, и при номинальном токе имеет напряжение насыщения, сниженное до 1.55 В и общие потери переключения 3 мДж. Новые приборы Ultra Field Stop имеют встроенные быстровосстанавливающиеся диоды с мягкими характеристиками выключения при минимальных потерях обратного восстановления. NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120FL3WG прекрасно подходят для использования в источниках бесперебойного питания и солнечных инверторах, в то время как NGTB40N120L3WG в основном предназначены для драйверов электромоторов.

«Помимо оптимизированных диодов с малым временем восстановления в новых Ultra Field Stop IGBT нам удалось найти золотую середину между напряжением насыщения и энергией переключения, что снизило коммутационные потери и увеличило КПД мощности силовых приложений в широком диапазоне рабочих частот. В то же время эксплуатационная надежность и рентабельность остались на уровне требований, предъявляемых разработчиками к IGBT приборам», – утверждает Асиф Джеквани (Asif Jakwani), старший директор и генеральный менеджер подразделения дискретных силовых приборов компании ON Semiconductor.

Корпуса и цены

NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG и NGTB40N120L3WG поставляются в корпусах TO-247, отвечающих требованиям директивы RoHS, и в партиях из 10,000 приборов продаются по цене, соответственно, $2.02, $1.76 и $2.12 за штуку.
 

Теги: NGTB40N120L3WG
 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (12)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"