Программа Сервисный Центр
0

Peregrine Semiconductor анонсирует самый быстрый в мире драйвер нитрид-галлиевых полевых транзисторов


Технология UltraCMOS компании Peregrine позволяет нитрид-галлиевым транзисторам реализовать свой потенциал эффективности и скорости

Peregrine Semiconductor представляет новую микросхему PE29100 – самый быстрый в мире драйвер нитрид-галлиевых (GaN) полевых транзисторов. Изготавливаемый на основе разработанной Peregrine технологии UltraCMOS, этот новый драйвер позволит инженерам-конструкторам полностью реализовать преимущества максимального быстродействия и эффективности GaN транзисторов. PE29100, разработанный для управления затворами GaN полевых транзисторов верхнего и нижнего плеча, обеспечивает самые высокие в отрасли скорости переключения, наименьшие задержки распространения и самое низкое время нарастания и спада в AC/DC и DC/DC преобразователях, аудио усилителях класса D и беспроводных зарядных устройствах.

Peregrine Semiconductor анонсирует самый быстрый в мире драйвер нитрид-галлиевых полевых транзисторов

МОП транзисторы на основе GaN совершают переворот на традиционном рынке преобразователей энергии, вытесняя кремниевые полевые транзисторы со структурой металл-окисел-полупроводник (MOSFET). По сравнению с MOSFET, GaN полевые транзисторы при минимально возможных размерах работают намного быстрее и имеют более высокие скорости переключения. В перспективе нитрид галлия может значительно уменьшить размеры и вес любого источника питания. Для полной реализации своего потенциала эти высокопроизводительные GaN транзисторы нуждаются в оптимизированных драйверах затвора. Драйвер полевого транзистора должен заряжать и разряжать емкость затвора с максимально возможной скоростью, а для работы с быстрыми сигналами ему необходимо иметь очень низкую задержку распространения. Он также должен исключать протекание сквозного тока, возникающего, когда одновременно отрыты транзисторы верхнего и нижнего плеча. Драйвер PE29100 разработан специально для этих целей.

Движущей силой лучшего в отрасли быстродействия PE29100 является разработанная Peregrine технологическая платформа UltraCMOS. Эта технология позволяет намного увеличить скорость работы интегральных схем по сравнению с устройствами на обычных КМОП-структурах, чтобы изготавливать драйверы GaN МОП транзисторов с наименьшими в отрасли задержками распространения, минимальными временами нарастания и спада и самой высокой скоростью переключения. При таком преимуществе в скорости существенно уменьшаются размеры импульсных источников питания, предоставляя инженерам-конструкторам возможность создания устройств с повышенной плотностью мощности.

При использовании технологии UltraCMOS приборы изготавливаются на истинно изолирующей подложке, и благодаря отсутствию переходов с подложкой или карманами имеют низкие паразитные параметры. Для технологии UltraCMOS характерно низкое сопротивление открытого канала, улучшающее КПД системы, и малая емкость в выключенном состоянии, позволяющая работать на более высоких частотах.

Характеристики, корпуса, цены и доступность

PE29100 является драйвером полумоста на GaN полевых транзисторах с внутренней цепью управления мертвым временем. Высокоскоростной драйвер работает на частотах до 33 МГц, управляя силовыми каскадами с напряжениями питания до 80 В. Задержка распространения драйвера составляет всего 8 нс. Его время нарастания и спада равно 2.5 нс и 1.8 нс, соответственно, при работе на нагрузку 1000 пФ, а при нагрузке 100 пФ эти времена снижаются до 1 нс. PE29100 управляется однофазным входным сигналом, подаваемым на отдельный вход, и обеспечивает вытекающий и втекающий выходной ток 2 А и 4 A, соответственно.

Peregrine Semiconductor анонсирует самый быстрый в мире драйвер нитрид-галлиевых полевых транзисторов
Оценочный набор для драйвера затворов GaN
полевых транзисторов PE29100.

В настоящее время доступны примышленные партии, единичные образцы и оценочные комплекты. Драйверы PE29100 предлагаются в в корпусах с размерами кристалла площадью 2 × 1.6 мм по цене $1.80 за штуку при объеме заказа 1000 микросхем.

ПараметрЗначение
Частота переключения33 МГц
Время нарастания/спада1 нс/1 нс при нагрузке 100 пФ
Задержка распространения8 нс
Управление мертвым временемВнутреннее
Вытекающий/втекающий ток2 А/4 А
Максимальное рабочее напряжение80 В
КорпусКорпус 2 × 1.6 мм
на основе перевернутого кристалла
Теги: UltraCMOS

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (15)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"