Программа Сервисный Центр
0

Dialog Semiconductor выходит на рынок нитрид-галлиевых приборов с первым интегральным силовым устройством


В микросхемах SmartGan DA8801 силовые GaN МОП-транзисторы интегрированы с аналоговыми драйверами и логическими схемами в одну оптимизированную, исключительно эффективную 650-вольтовую полумостовую конструкцию

Dialog Semiconductor анонсировала и продемонстрировала первую нитрид-галлиевую (GaN) силовую микросхему, изготовленную с использованием 650-вольтового техпроцесса GaN-на-кремнии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation (TSMC).

Dialog Semiconductor выходит на рынок нитрид-галлиевых приборов с первым интегральным силовым устройством

Совместно с запатентованными Dialog цифровыми контроллерами преобразования энергии, DA8801 позволит повысить плотность мощности сетевых адаптеров, сделав их более эффективными и компактными по сравнению с доминирующими сегодня конструкциями на традиционных кремниевых МОП транзисторах. Новая разработка Dialog с самого начала была нацелена на сегмент адаптеров быстрой зарядки смартфонов и компьютеров, где со своими контроллерами преобразования энергии компания уже имеет долю рынка свыше 70%.

«Исключительные характеристики GaN транзисторов позволяют заказчикам предлагать потребителям более эффективные и компактные сетевые адаптеры, отвечающие сегодняшним запросам рынка, – сказал Марк Тиндалл (Mark Tyndall), старший вице-президент по корпоративному развитию и стратегии Dialog Semiconductor. – После успеха, который принесли нам биполярные CMOS-DMOS микросхемы управления питанием, Dialog вновь лидирует в коммерциализации новой технологии для массовых потребительских приложений».

Dialog Semiconductor выходит на рынок нитрид-галлиевых приборов с первым интегральным силовым устройством

Технология GaN позволяет создавать самые быстродействующие в мире транзисторы, являющиеся ядром высокоэффективных и ультраэффективных преобразователей энергии. Разработанные Dialog полумосты DA8801, в которых такие блоки, как драйверы затворов и схемы сдвига уровня объединены с 650-вольтовыми силовыми ключами, обеспечивают оптимальное решение, снижающее потери мощности до 50% при КПД, достигающем 94%. Продукт дает возможность беспрепятственно внедрять GaN приборы, отказавшись от сложных схем, необходимых для управления дискретными нитрид-галлиевыми ключами.

Новая технология позволяет до 50% сократить размеры силовой электроники и разместить конструкцию типичного 45-ваттного сетевого адаптера в объеме современного адаптера мощностью 25 Вт. Это уменьшение размеров позволит создавать истинно универсальные адаптеры для мобильных устройств.

Образцы DA8801 будут доступны начиная с 4 квартала 2016 года.

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Декабрь 2016    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Декабрь 2016 (1)
Ноябрь 2016 (42)
Октябрь 2016 (34)
Сентябрь 2016 (38)
Август 2016 (34)
Июль 2016 (36)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"