Программа Сервисный Центр
0

Мощные 600-вольтовые MOSFET серии E четвертого поколения снизят потери проводимости и переключения


MOSFET с суперпереходом с наименьшим в отрасли показателем RDS(ON)∙QG предназначены для телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений

Компания Vishay представила первый прибор из серии E мощных 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения. Разработанный подразделением Vishay Siliconix n-канальный транзистор SiHP065N60E отличается от аналогичных MOSFET предыдущего поколения, в первую очередь, сопротивлением открытого канала, уменьшенным на 30%, и сниженным на 44% зарядом затвора. Новый прибор обеспечит высокий КПД источников питания телекоммуникационных, промышленных и корпоративных приложений. В результате удалось создать прибор с наименьшим в отрасли произведением заряда затвора на сопротивление канала – ключевым показателем качества 600-вольтовых MOSFET, используемых в силовых преобразователях.

Мощные 600-вольтовые MOSFET серии E четвертого поколения снизят потери проводимости и переключения

«Мы стремимся предоставить нашим клиентам широкую линейку MOSFET, которые могут использоваться во всех каскадах преобразователей энергии, требующихся новейшим электронным системам – от высоковольтных входов до низковольтных выходов, – сказал Дэвид Грей (David Grey), старший директор по развитию рынка компании Vishay. – SiHP065N60E и готовящиеся к выпуску другие 600-вольтовые приборы серии E четвертого поколения позволят повысить КПД и плотность мощности в первых каскадах систем электропитания – корректорах коэффициента мощности и следующих за ними высоковольтных блоках DC/DC преобразователей».

Созданный на основе новейшей энергоэффективной технологии суперперехода транзистор SiHP065N60E при напряжении затвор-исток 10 В имеет максимальное сопротивление открытого канала всего 0.065 Ом, а заряд его затвора уменьшен до сверхнизкого значения 49 нКл. Произведение заряда затвора на сопротивление у новых устройств на 25% ниже, чем у ближайших аналогов того же класса, выпускаемых конкурентами, и составляет 2.8 Ом×нКл. Коммутационные характеристики устройств улучшены за счет низких эффективный значений выходной емкости CO(ER) и CO(TR), равных, соответственно, 93 пФ и 593 пФ. Эти значения, обеспечивая снижение потерь проводимости и переключения, сокращают потери энергии в корректорах коэффициента мощности и DC/DC преобразователях с жесткими режимами коммутации, используемыми в телекоммуникационных, промышленных и корпоративных системах электропитания.

Выпускаемые в корпусе TO-220AB транзисторы отвечают требованиям директивы RoHS и не содержат галогенов. Конструкция приборов обеспечивает устойчивость к выбросам напряжения в лавинном режиме с фиксированными уровнями отсечки, гарантированными стопроцентной проверкой на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки.

Потребители имеют возможность получить единичные образцы SiHP065N60E. Промышленные партии транзисторов поставляются в течение 10 недель с момента подтверждения заказа.

Теги: MOSFET

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
 
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Октябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Сентябрь 2017 (4)
Август 2017 (36)
Июль 2017 (32)
Июнь 2017 (42)
Май 2017 (45)
Апрель 2017 (47)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"