Программа Сервисный Центр
0

Toshiba представляет мощные МОП-транзисторы с каналом n-типа на 40 и 45 В с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала


Последнее дополнение серии низковольтных устройств на основе технологического процесса U-MOS IX-H

Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию низковольтных мощных МОП-транзисторов с каналом n-типа на основе технологии U-MOS IX-H и представляет новые устройства на 40 и 45 В, обладающие самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала [1] среди приборов своего класса и высоким быстродействием. Новые транзисторы (девять моделей на напряжение 40 В и пять моделей на 45 В) предназначены для работы в промышленных и бытовых устройствах, включая высокоэффективные преобразователи постоянного тока, высокоэффективные преобразователи переменного тока в постоянный, источники питания и приводы электродвигателей.

Toshiba представляет мощные МОП-транзисторы с каналом n-типа на 40 и 45 В с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала

В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки последнего поколения U-MOS IX-H для низковольтных устройств, что позволяет сочетать ведущее в отрасли [1] низкое сопротивление в открытом состоянии в своем классе и низкий выходной заряд и добиться эффективной и быстрой работы устройства. Максимальное значение RDS(ON) (при VGS = 10 В) составляет от 0.80 до 7.5 мОм в зависимости от устройства.

Новая структура позволяет снизить показатель добротности RDS(ON)•QSW [2], повышая эффективность переключения до уровня, превосходящего характеристики выпускающихся в настоящее время устройств Toshiba [3]. Потери на выходе снижаются за счет снижения выходного заряда, что обеспечивает более высокую эффективность устройств. Кроме того, структуры ячеек новых МОП-транзисторов оптимизированы для подавления импульсных напряжений и затухающих колебаний при переключении, что помогает снизить уровень электромагнитных помех в системе.

В качестве основных корпусов используются SOP-Advance размером 5 мм × 6 мм и TSON-Advance размером 3 мм × 3 мм. Все новые устройства поддерживают управление сигналами логического уровня 4.5 В.

Примечания

[1] В категории изделий с такими же номинальными характеристиками по состоянию на 9 декабря 2016 г. Данные исследования Toshiba.

[2] RDS(ON): сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии. Qsw: заряд переключения затвора.

[3] Изделия Toshiba на основе технологического процесса предыдущего поколения U-MOS VIII-H.

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
 
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Октябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Сентябрь 2017 (4)
Август 2017 (36)
Июль 2017 (32)
Июнь 2017 (42)
Май 2017 (45)
Апрель 2017 (47)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"