Программа Сервисный Центр
0

STMicroelectronics анонсирует миниатюрные мощные MOSFET в корпусах с двухсторонним охлаждением для схем автоэлектроники


STMicroelectronics (ST) анонсировала новые MOSFET в усовершенствованных корпусах PowerFLAT площадью 5×6 мм, двухстороннее охлаждение которых даст возможность увеличить плотность мощности в электронных блоках управления автомобилей. Новые MOSFET уже были выбраны компанией Denso – ведущим поставщиком передовых автомобильных технологий для основных автопроизводителей.

STMicroelectronics анонсирует миниатюрные мощные MOSFET в корпусах с двухсторонним охлаждением для схем автоэлектроники

STLD200N4F6AG и STLD125N4F6AG рассчитаны на работу в цепях с напряжением до 40 В в составе систем управления двигателями автомобилей, цепей защиты от переполюсовки аккумуляторной батареи и высокоэффективных коммутаторов мощности. При высоте всего 0.8 мм корпус PowerFLAT с двумя охлаждающими поверхностями легко размещается на обратной стороне печатной платы, что увеличивает эффективность рассеивания мощности, в то время как электрод на верхней стороне обеспечивает дополнительный отвод тепла. Это позволяет конструкторам, увеличив допустимые токи и общую плотность мощности, уменьшить размеры электронных блоков управления, не жертвуя при этом функциональностью, техническими характеристиками или надежностью.

Транзисторы STLD200N4F6AG и STLD125N4F6AG с максимальным током стока 120 А и максимальными значениями сопротивлений открытого канала 1.5 мОм и 3.0 мОм, соответственно, гарантируют высокий КПД использования энергии и упрощают управление тепловыми режимами устройств. Кроме того, общие заряды затворов 172 нКл и 91 нКл и низкие емкости устройств обеспечивают эффективное переключение на высоких рабочих частотах.

Эти два 40-вольтовых MOSFET стали первыми устройствами ST в новом семействе транзисторов STripFET F6 со щелевой структурой затвора, которое, по мере наполнения новыми приборами, предоставит разработчикам автомобильных приложений широкий выбор диапазонов допустимых токов и напряжений. Новые MOSFET рассчитаны на работу в экстремально тяжелых условиях подкапотного пространства автомобиля при температурах до 175 °C. Приборы проходят стопроцентный выходной контроль на устойчивость к лавинному пробою, а смачиваемые торцы выводов корпуса позволяют полностью автоматизировать оптический контроль качества монтажа.

STLD200N4F6AG и STLD125N4F6AG были сертифицированы на соответствие стандарту AEC-Q101. В партиях из 1000 приборов цена одного транзистора начинается от $1.15. В течение этого года семейство будет расширено транзисторами серии STripFET F7.

Также рекомендуем:

 
 
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
 
 
 
Обратная связь

Наши партнеры

 

Опросы

Есть ли справедливость в жизни?
Конечно есть, уверен!
Вроде как должна быть, но...
Затрудняюсь ответить...
Какая справедливость? О чем Вы?
Эх.., нет правды на свете!

 

Облако тегов

Требуется для просмотраFlash Player 9 или выше.

Показать все теги
 

Календарь публикаций

«    Октябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
 
 

Архив новостей

Сентябрь 2017 (4)
Август 2017 (36)
Июль 2017 (32)
Июнь 2017 (42)
Май 2017 (45)
Апрель 2017 (47)
 
Наверх Сервисные мануалы Даташиты Ремонт LCD, ЖК телевизоров LG Samsung Скрипт программы "Сервисный центр"